Showing 25 of 130 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU322
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU322 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU3505PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU3505PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU320A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU320A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU3709PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU3709PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU3706CPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU3706CPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU320A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU320A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU3505
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU3505 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU320PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU320PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU321
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU321 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU3710Z
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU3710Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU310A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU310A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU3711ZCPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 93A I(D), 20V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU3711ZCPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU3709Z
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU3709Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU310BTU
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.7A, 400V, 3.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 | IRFU310BTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU3607PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU3607PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU3412
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU3412 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU3706PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU3706PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU310
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU310 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU3303
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU3303 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU3303PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 30V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU3303PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU3707ZCPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU3707ZCPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU310
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU310 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU310
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU310 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU320
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.1A, 400V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | IRFU320 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU3411
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU3411 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||