Showing 25 of 82 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU4104
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU4104 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU4620PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU4620PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU420PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU420PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU420
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.5A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | IRFU420 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU48Z
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU48Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU410AJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 520V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU410AJ69Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU430A
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU430A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU421
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU421 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU48ZPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU48ZPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU422
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU422 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU420
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU420 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU430APBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU430APBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU420ATU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU420ATU |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU4620PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU4620PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU430A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3 | IRFU430A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU420APBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU420APBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU4105Z
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU4105Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU4510PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU4510PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU420
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU420 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU4105ZPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU4105ZPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU430APBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU430APBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU421
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU421 |
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IRFU430B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU430B |
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IRFU410
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 500V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU410 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU411
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 450V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU411 |
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