Showing 25 of 125 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9222
Thomson Consumer Electronics
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1 | Transistor | IRFU9222 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9010
Thomson Consumer Electronics
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1 | Transistor | IRFU9010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9014
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU9014 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9024NCPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9024NCPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9210PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9210PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9210
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9210
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU9210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9024
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU9024 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9220
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9220 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9110
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9110 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9214PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU9214PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9110
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9110 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9310
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 400V, 7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU9310 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9014PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU9014PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9120PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9120PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9214
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU9214 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9214PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFU9214PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9N20DPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9N20DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9014
Thomson Consumer Electronics
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1 | Transistor | IRFU9014 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9022
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9022 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9024
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9024 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9024PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU9024PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9212
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 200V, 4.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU9212 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9022
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 50V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU9022 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9020PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 50V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU9020PBF |
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