Showing 25 of 122 results
Filter by Manufacturer
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
---|
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFU9220
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9220 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9010PBF
Vishay
|
1 | Trans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK | IRFU9010PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9014
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3 | IRFU9014 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9024
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3 | IRFU9024 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9110
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9110 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9210
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9210 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9110
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, | IRFU9110 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9024NCPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3 | IRFU9024NCPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9214PBF
Vishay
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, ROHS COMPLIANT, IPAK-3 | IRFU9214PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9220
Vishay
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, IPAK-3 | IRFU9220 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9120PBF
Vishay
|
1 | Vishay IRFU9120PBF P-channel MOSFET Module, 5.6 A, -100 V, 3-Pin IPAK | IRFU9120PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9210PBF
Vishay
|
1 | IRFU9210PBF | IRFU9210PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9212
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 200V, 4.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU9212 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9022
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9022 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9014
Thomson Consumer Electronics
|
1 | Transistor | IRFU9014 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9022
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 50V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU9022 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9020
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 50V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9020 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9121
Thomson Consumer Electronics
|
1 | Transistor | IRFU9121 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9120
Thomson Consumer Electronics
|
1 | Transistor | IRFU9120 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9N20DPBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, | IRFU9N20DPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9121
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 80V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU9121 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9120NPBF
Infineon
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 100V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3 | IRFU9120NPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9020PBF
Vishay
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 50V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, | IRFU9020PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9024
Vishay
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, I-PAK-3 | IRFU9024 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRFU9214PBF
Vishay
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, | IRFU9214PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||