Showing 25 of 183 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440C-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 7A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB, TO-220MC, 3 PIN | IRFY440C-JQR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY430MEAPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 500V, 1.84ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY430MEAPBF |
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IRFY420-JQR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 25A, 500V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN | IRFY420-JQR-BR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY430M
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.7A, 500V, 1.84ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFY430M |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY420R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 25A, 500V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB, HERMETIC SEALED, METAL, TO-220M, 3 PIN | IRFY420R1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440EA
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY440EA |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440EDPBF
Infineon Technologies AG
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1 | 5.5A, 500V, 0.98ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB | IRFY440EDPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440ED
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY440ED |
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IRFY440CMSCX
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY440CMSCX |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440C-JQR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 7A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB, TO-220MC, 3 PIN | IRFY440C-JQR-BR1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440EPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY440EPBF |
0
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IRFY430C
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY430C |
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IRFY430-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.84ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFY430-JQR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY430R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.7A, 500V, 1.84ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFY430R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY430EAPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 500V, 1.84ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY430EAPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440MPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY440MPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440
Sensitron Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFY440 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440CPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY440CPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440EDPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY440EDPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY430MEC
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 500V, 1.84ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY430MEC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY430CMPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY430CMPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440-QR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 5.5A, 500V, 0.98ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFY440-QR-BR1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY430M-T257R1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.84ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY430M-T257R1 |
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IRFY430MED
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 500V, 1.84ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY430MED |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY440MEBPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY440MEBPBF |
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