Showing 25 of 315 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY9140EPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9140EPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY9140E
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9140E |
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IRFY9130EPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9130EPBF |
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IRFY9130CMSCV
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.2A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY9130CMSCV |
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IRFY9130CSCX
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9130CSCX |
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IRFY9130M
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.2A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY9130M |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY9140MEAPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9140MEAPBF |
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IRFY9140CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY9140CM |
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IRFY9130C-JQR-BR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.2A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9130C-JQR-BR1 |
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IRFY9130MEDPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9130MEDPBF |
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IRFY9240CMSCXPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY9240CMSCXPBF |
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IRFY9140MECPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9140MECPBF |
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IRFY9130(M)
International Rectifier
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1 | 100V, 0.31ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA | IRFY9130(M) |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY9130-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFY9130-JQR-B |
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IRFY9240MED
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9240MED |
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IRFY9120(M)PBF
International Rectifier
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1 | 100V, 0.6ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA | IRFY9120(M)PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY9140EBPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9140EBPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY9120M
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9120M |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY9140-JQR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFY9140-JQR-BR1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY9130MEDPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9130MEDPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY9230-QR-BR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRFY9230-QR-BR1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY9140MECPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9140MECPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY9130M-QR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.2A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9130M-QR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFY9130-JQR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFY9130-JQR-BR1 |
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IRFY9120C-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB | IRFY9120C-JQR-B |
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