Showing 25 of 54 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL6B60KDPBF
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262 | IRGSL6B60KDPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL14C40LPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 370V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA | IRGSL14C40LPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL30B60K
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262 | IRGSL30B60K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL8B60KPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA | IRGSL8B60KPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL6B60K
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA | IRGSL6B60K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL15B60KD
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262 | IRGSL15B60KD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL6B60KDTRR
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA | IRGSL6B60KDTRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL10B60KD
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262 | IRGSL10B60KD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL4640DPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 65A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA | IRGSL4640DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL8B60KPBF
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA | IRGSL8B60KPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL4B60KD1TRR
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA | IRGSL4B60KD1TRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL6B60KD
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262 | IRGSL6B60KD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL14C40LPBF
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 370V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA | IRGSL14C40LPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL4B60KTRL
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA | IRGSL4B60KTRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL6B60KD
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262 | IRGSL6B60KD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL4B60K
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262 | IRGSL4B60K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL6B60KDTRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA | IRGSL6B60KDTRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL4062D
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, TO-262AA | IRGSL4062D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL10B60KDPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262 | IRGSL10B60KDPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL6B60KPBF
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA | IRGSL6B60KPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL4062DPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 48A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA | IRGSL4062DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL6B60KDPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262 | IRGSL6B60KDPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL4062DPBF
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 48A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA | IRGSL4062DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL15B60KD
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262 | IRGSL15B60KD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGSL30B60KPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262 | IRGSL30B60KPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||