Showing 25 of 242 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRHM57260SE
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM57260SE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM53Z60D
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM53Z60D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM57260SCSPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM57260SCSPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM54160U
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM54160U |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM57Z60SCS
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM57Z60SCS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM57260U
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM57260U |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM54260
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM54260 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM58064PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM58064PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM57160UPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM57160UPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM57064
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM57064 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM57160D
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM57160D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM5160
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRHM5160 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM57160U
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM57160U |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM54Z60U
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM54Z60U |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM58160U
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM58160U |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM57Z60D
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM57Z60D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM57260SED
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM57260SED |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM54260PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM54260PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM58064
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM58064 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM54Z60PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM54Z60PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM5064
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM5064 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM54160
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM54160 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM54Z60DPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM54Z60DPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM57260UPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM57260UPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM54160DPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM54160DPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||