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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8250
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3 | IRHM8250 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8064D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN | IRHM8064D |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8450D
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM8450D |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8230PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM8230PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8054U
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM8054U |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8260U
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN | IRHM8260U |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8064UPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN | IRHM8064UPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8360DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 400V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM8360DPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8130PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM8130PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8150PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN | IRHM8150PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8260PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETICALLY SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 | IRHM8260PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8230UPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN | IRHM8230UPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8150
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN | IRHM8150 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8254
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, | IRHM8254 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8450DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM8450DPBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8054
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 | IRHM8054 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8230U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN | IRHM8230U |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8064
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 | IRHM8064 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8250U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN | IRHM8250U |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8160DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN | IRHM8160DPBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8230D
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN | IRHM8230D |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8150UPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN | IRHM8150UPBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8260UPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN | IRHM8260UPBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8054UPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-254AA, 3 PIN | IRHM8054UPBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHM8250U
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM8250U |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||