Showing 25 of 106 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8360U
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 400V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM8360U |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8260UPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM8260UPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8150DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM8150DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8160D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM8160D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8150U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM8150U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8260
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM8260 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8054D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM8054D |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8260U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM8260U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8130
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM8130 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8360
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 400V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM8360 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8230
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM8230 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8130D
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM8130D |
0
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IRHM8250PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM8250PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8150
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM8150 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8064U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM8064U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8250
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM8250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8250U
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM8250U |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8260UPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM8260UPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8450
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM8450 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8054UPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM8054UPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8160UPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM8160UPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8260D
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM8260D |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8260DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM8260DPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8360D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 400V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM8360D |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM8450UPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM8450UPBF |
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