Showing 25 of 304 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA597260
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35.5A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA597260 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA63160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA63160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA57Z60SCSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA57Z60SCSPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA7260
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA7260 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA57064SCS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA57064SCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA53260PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 200V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA53260PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA597160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 100V, 0.049ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA597160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA57163SEPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 130V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA57163SEPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA67164
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 150V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA67164 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA57064A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA57064A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA53160PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA53160PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA7264SE
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 250V, 0.123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA7264SE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA57260SESCSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 200V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA57260SESCSPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA58064PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA58064PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA3064
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA3064 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA57163SESCS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 130V, 0.0137ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA57163SESCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA63264
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 150V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA63264 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA57264SEPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 250V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA57264SEPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA67260
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHNA67260 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA53064PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA53064PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA8064PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA8064PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA7160
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA7160 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA597260
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35.5A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA597260 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA9364
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | IRHNA9364 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNA3160
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNA3160 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||