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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS593Z30CMPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS593Z30CMPBF |
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IRHYS63230CMSCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS63230CMSCS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS63134CMSCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHYS63134CMSCS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS593Z30CMPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS593Z30CMPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS67130CMPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS67130CMPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS67230CMA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHYS67230CMA |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS597Z30CMPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS597Z30CMPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS9A3130CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS9A3130CM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS9A93230CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS9A93230CM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS6S3130CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS6S3130CM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS67130CSCSA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS67130CSCSA |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS63130CMSCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHYS63130CMSCS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS67130CMPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS67130CMPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS593034CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.087ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS593034CM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS597Z30CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS597Z30CM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS63230CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS63230CM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS67130CA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHYS67130CA |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS9A7034CMSCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHYS9A7034CMSCS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS597Z30CM
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS597Z30CM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS9A7130CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS9A7130CM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS63234CMSCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 250V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS63234CMSCS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS63130CMPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS63130CMPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHYS593Z30CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS593Z30CM |
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IRHYS67130CMSCSB
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHYS67130CMSCSB |
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IRHYS597034CM
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.087ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRHYS597034CM |
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