Showing 25 of 121 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2505-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-010PBF |
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IRL2505-006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-006PBF |
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IRL2505-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-013 |
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IRL2505-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-002PBF |
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IRL2505-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-004 |
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IRL2505-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-003 |
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IRL2505-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-010PBF |
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IRL2505-006PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-006PBF |
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IRL2505-002PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-002PBF |
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IRL2505-031PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-031PBF |
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IRL2505-029PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-029PBF |
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IRL2505-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-010 |
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IRL2505-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-002 |
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IRL2505-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-003 |
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IRL2505-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-011 |
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IRL2505-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-012 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2505-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-012 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2505
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505 |
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IRL2505-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-003PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2505-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-009 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL2505STRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRL2505STRRPBF |
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IRL2505-018
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-018 |
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IRL2505-015PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-015PBF |
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IRL2505SPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRL2505SPBF |
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IRL2505-011
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL2505-011 |
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