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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3202L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202L |
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IRL3202-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202-012PBF |
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IRL3202-024
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202-024 |
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IRL3202-019PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202-019PBF |
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IRL3202-018PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202-018PBF |
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IRL3202-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202-029 |
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IRL3202-030PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202-030PBF |
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IRL3202STRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRL3202STRRPBF |
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IRL3202-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202-012 |
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IRL3202
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202 |
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IRL3202-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202-004PBF |
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IRL3202-017PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202-017PBF |
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IRL3202-019
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202-019 |
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IRL3202S
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRL3202S |
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IRL3202-004PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202-004PBF |
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IRL3202-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202-003PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3202-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202-011PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3202PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3202-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202-005PBF |
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IRL3202-029PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202-029PBF |
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IRL3202-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202-005 |
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IRL3202-015PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202-015PBF |
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IRL3202-015
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202-015 |
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IRL3202-024
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202-024 |
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IRL3202-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3202-003 |
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