Showing 25 of 404 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI520N-031
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI520N-031 |
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IRLI540G-029PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI540G-029PBF |
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IRLI530N-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI530N-011 |
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IRLI520NPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI520NPBF |
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IRLI530N
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI530N |
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IRLI520G-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI520G-002PBF |
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IRLI540G-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI540G-010PBF |
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IRLI540G-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI540G-004 |
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IRLI530GPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI530GPBF |
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IRLI520G-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI520G-017PBF |
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IRLI540G-024
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI540G-024 |
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IRLI520G-015PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI520G-015PBF |
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IRLI540N-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI540N-006 |
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IRLI520N-030PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI520N-030PBF |
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IRLI540N-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI540N-003 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI540G-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI540G-002 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI540N-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI540N-005 |
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IRLI530N-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI530N-006 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI520N-024
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI520N-024 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI530G-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI530G-011 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI530N-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI530N-004 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI520N-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI520N-009 |
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IRLI530N-024
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI530N-024 |
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IRLI530N-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI530N-010PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI530G-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI530G-010 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||