Showing 25 of 92 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR014TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR014TRL |
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IRLR034A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLR034A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR014
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLR014 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR024TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR024TRLPBF |
0
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IRLR014NPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR014NPBF |
0
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IRLR010
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLR010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR014TR
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IRLR014TR |
0
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IRLR024NTR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR024NTR |
0
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IRLR024TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR024TR |
0
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IRLR014PBF
Vishay
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1 | IRLR014PBF, N-channel MOSFET Transistor, 7.7 A 60 V, 3-Pin D-PAK | IRLR014PBF |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR024PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IRLR024PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR024ZTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 55V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR024ZTRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR024NPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR024NPBF |
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IRLR024NTRPBF
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | N-Channel 60 V MOSFET with 0.073 ohm RDS(on) at 10 V VGS, 18.2 A continuous drain current, TO-252 package, suitable for DC/DC converters, motor drives, and inverters. | IRLR024NTRPBF |
0
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IRLR014TRLPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR014TRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR014TRLPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR014TRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR014TRPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR014TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR014
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR014 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR024ZTR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 55V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR024ZTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR024A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLR024A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR024TR
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IRLR024TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR024NTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR024NTRPBF |
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IRLR014A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLR014A |
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IRLR014TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR014TR |
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IRLR020
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLR020 |
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