Showing 25 of 118 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2905ZPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2905ZPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2905ZTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2905ZTRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2705TRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 55V, 0.051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2705TRRPBF |
0
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IRLR2908TRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 80V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2908TRLPBF |
0
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IRLR2703TRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2703TRLPBF |
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IRLR211
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLR211 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2905ZTRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2905ZTRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2905TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2905TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2905ZTRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2905ZTRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2703TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2703TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2905ZTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2905ZTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2705TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 55V, 0.051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2705TRPBF |
0
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IRLR210
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLR210 |
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IRLR2703TRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2703TRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2908TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 80V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2908TRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2705TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 55V, 0.051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2705TRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2705
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 55V, 0.051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2705 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2908TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 80V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2908TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2905TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2905TRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2705TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 55V, 0.051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2705TRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2905TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2905TRL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2905
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2905 |
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IRLR2703
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2703 |
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IRLR2905TRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRLR2905TRRPBF |
0
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IRLR220
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLR220 |
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