Showing 25 of 222 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N2222AUBC/TR
Microchip Technology Inc
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1 | Small Signal Bipolar Transistor | JANSG2N2222AUBC/TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N7484T3
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANSG2N7484T3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N7270U
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANSG2N7270U |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N3906AUBN
Defense Logistics Agency
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0 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.0002A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | JANSG2N3906AUBN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N7281
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANSG2N7281 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N7270U
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANSG2N7270U |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N7262
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | JANSG2N7262 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N7470T1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANSG2N7470T1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N2222AL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA | JANSG2N2222AL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N7433U
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANSG2N7433U |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N3906AL
Defense Logistics Agency
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0 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.0002A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-206AA | JANSG2N3906AL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N3906A
Defense Logistics Agency
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0 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.0002A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-206AA | JANSG2N3906A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N7478T1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANSG2N7478T1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N7268U
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANSG2N7268U |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N7470T1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANSG2N7470T1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N4449
Semicoa Semiconductors
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0 | Small Signal Bipolar Transistor, 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-46 | JANSG2N4449 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N2907AUBC
Semicoa Semiconductors
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0 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | JANSG2N2907AUBC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N7494U5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANSG2N7494U5 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N2369AUB
Semicoa Semiconductors
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0 | Small Signal Bipolar Transistor, 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | JANSG2N2369AUB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N2222AUA
Microchip Technology Inc
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | JANSG2N2222AUA |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N2222AL
Semicoa Semiconductors
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0 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | JANSG2N2222AL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N2222AL
Microchip Technology Inc
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA | JANSG2N2222AL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N7594T3
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 250V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANSG2N7594T3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSG2N7479U3
Defense Logistics Agency
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANSG2N7479U3 |
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JANSG2N7495U5
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | JANSG2N7495U5 |
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