Showing 25 of 80 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2682YSTU
Rochester Electronics LLC
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1 | 0.1A, 180V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 | KSC2682YSTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2690AYSTSTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSC2690AYSTSTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2682-Y
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSC2682-Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2688OSTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSC2688OSTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2669-O
Samsung Semiconductor
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92S, 3 PIN | KSC2669-O |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2690AYS
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSC2690AYS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2688
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSC2688 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2682
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSC2682 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2690O
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSC2690O |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2669OBU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | KSC2669OBU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2688
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSC2688 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2688G
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSC2688G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2669-Y
Samsung Semiconductor
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92S, 3 PIN | KSC2669-Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2690A-Y
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSC2690A-Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2669
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | KSC2669 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2690-R
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSC2690-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2690A
JCET Group
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1 | NPN transistor in TO-126 package, with collector-base voltage up to 160 V, collector current of 1.2 A, DC current gain up to 320, transition frequency of 155 MHz, and power dissipation of 1.25 W at 25°C. | KSC2690A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2690A-O
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSC2690A-O |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2690
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSC2690 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2669YTA
Rochester Electronics LLC
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1 | 30mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, TO-92S, 3 PIN | KSC2669YTA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2690AY
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSC2690AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2669-R
Samsung Semiconductor
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92S, 3 PIN | KSC2669-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2669R
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | KSC2669R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2690A-Y
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor | KSC2690A-Y |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KSC2682
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | KSC2682 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||