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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT3120ALHRC11
ROHM Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 650V, 0.156ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | SCT3120ALHRC11 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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K4S64163LH-RC1H0
Samsung Semiconductor
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1 | Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 | K4S64163LH-RC1H0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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K4S64163LH-RC1H
Samsung Semiconductor
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1 | Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 | K4S64163LH-RC1H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT3030ALHRC11
ROHM Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 650V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | SCT3030ALHRC11 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT3105KLHRC11
ROHM Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1200V, 0.137ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | SCT3105KLHRC11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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K4S64163LH-RC1L0
Samsung Semiconductor
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1 | Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 | K4S64163LH-RC1L0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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K4S64163LH-RC750
Samsung Semiconductor
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1 | Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54 | K4S64163LH-RC750 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT3030KLHRC11
ROHM Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 1200V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | SCT3030KLHRC11 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCT3060ALHRC11
ROHM Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 650V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | SCT3060ALHRC11 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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K4S64163LH-RC1L
Samsung Semiconductor
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1 | Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54 | K4S64163LH-RC1L |
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SCT3022KLHRC11
ROHM Semiconductor
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1 | ROHM - SCT3022KLHRC11 - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 95A, 175DEG C, 427W | SCT3022KLHRC11 |
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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K4S64163LH-RC75
Samsung Semiconductor
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1 | Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54 | K4S64163LH-RC75 |
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