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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD3055 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055-1
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD3055-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055-1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD3055-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD3055 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055T4
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD3055T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, | MJD3055 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055T4
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD3055T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD3055TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055
JCET Group
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1 | NPN transistor in TO-252-2L package, designed for general purpose amplifier and low speed switching applications, with collector current up to 10 A, VCEO of 60 V, and DC current gain specified at high current levels. | MJD3055 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055T4
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 | MJD3055T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 1-Element, NPN | MJD3055 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055-I
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, IPAK-3 | MJD3055-I |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3 | MJD3055 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055-1
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,10A I(C),TO-251 | MJD3055-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055(TO-251)
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Transistor | MJD3055(TO-251) |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD30C
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,1A I(C),TO-252 | MJD30C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,10A I(C),TO-252 | MJD3055 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055-1
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD3055-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055I
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD3055I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055(TO-252-2L)
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Transistor | MJD3055(TO-252-2L) |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055
Taitron Components Inc
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD3055 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD3055TF
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD3055TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMJD3055-TP
Micro Commercial Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MMJD3055-TP |
0
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MMJD3055-TP-HF
Micro Commercial Components
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1 | Power Bipolar Transistor | MMJD3055-TP-HF |
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