Showing 25 of 107 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBZ39VC-TP
MCC
|
1 | 2-Line Uni-directional Standard Capacitance ESD | SOT23 (3-Pin) | MMBZ39VC-TP |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MMBZ39VA-TP
MCC
|
1 | • Transient protection:- IEC 61000-4-2 (ESD) ±30kV (Air), ±30kV (Contact)- IEC 61643-321(Surge) 0.74~3A (10/1000µs)• Uni-directional ESD protection of two lines• Reverse working voltage, VRWM: 5.6V~47V• Standard capacitance: 36~315pF• Low clamping voltage: 8~54V• Low reverse leakage current: 0.05~5uA• Solid-state silicon-avalanche | SOT23 (3-Pin) | MMBZ39VA-TP |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MMBZ33VC-TP
MCC
|
1 | 2-Line Uni-directional Standard Capacitance ESDSOT-23 | SOT23 (3-Pin) | MMBZ33VC-TP |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MMBZ33VA-TP
MCC
|
1 | Transient protection: IEC 61000-4-2 (ESD) ±30kV (Air), ±30kV (Contact) IEC 61643-321(Surge) 0.74~3A (10/1000µs) Uni-directional ESD protection of two lines Reverse working voltage, VRWM: 5.6V~47V Standard capacitance: 36~315pF Low clamping voltage: 8~54V Low reverse leakage current: 0.05~5uA Solid-state silicon-avalanche | SOT23 (3-Pin) | MMBZ33VA-TP |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SZMMBZ33VAWT1G
onsemi
|
1 | SC70 Package Allows Either Two Separate Unidirectional Configurations or a Single Bidirectional Configuration; Standard Zener Breakdown Voltage Range 27 V; Peak Power 40 W @ 1.0 ms (Unidirectional); ESD Rating Class 3B (>16 kV) per the Human Body Model; ESD Rating Class C (>400 V) per the Machine Model; Low Leakage < 5.0 uA; Flammability Rating UL 94 V0; This is a PbFree Device; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable; SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requ | SOT23 (3-Pin) | SZMMBZ33VAWT1G |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SZMMBZ33VALT1G
onsemi
|
1 | SOT-23 Package Allows Either Two Separate Unidirectional Configurations or a Single Bidirectional Configuration; Working Peak Reverse Voltage Range - 3 V to 26 V; Standard Zener Breakdown Voltage Range - 5.6 V to 33 V; Peak Power - 24 or 40 Watts @ 1.0 ms (Unidirectional); ESD Rating of Class N (exceeding 16 kV) per the Human Body Model; Maximum Clamping Voltage @ Peak Pulse Current; Low Leakage < 5.0 µ A; Flammability Rating UL 94V-O Mechanical Characteristics:; CASE: Void-free, transfer-molded, thermosett | SOT23 (3-Pin) | SZMMBZ33VALT1G |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
VMMBZ33C1HD1-G3-08
Vishay
|
1 | ESD Suppressors / TVS Diodes SINGLE-LINE UNIDIRECTIONAL ESD | Other | VMMBZ33C1HD1-G3-08 |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SZMMBZ33VALT3G
onsemi
|
1 | SOT-23 Package Allows Either Two Separate Unidirectional Configurations or a Single Bidirectional Configuration; Working Peak Reverse Voltage Range - 3 V to 26 V; Standard Zener Breakdown Voltage Range - 5.6 V to 33 V; Peak Power - 24 or 40 Watts @ 1.0 ms (Unidirectional); ESD Rating of Class N (exceeding 16 kV) per the Human Body Model; Maximum Clamping Voltage @ Peak Pulse Current; Low Leakage < 5.0 µ A; Flammability Rating UL 94V-O Mechanical Characteristics:; CASE: Void-free, transfer-molded, thermosett | SOT23 (3-Pin) | SZMMBZ33VALT3G |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
VMMBZ33C1HD1HG3-08
Vishay
|
1 | ESD Suppressors / TVS Diodes SINGLE-LINE UNIDIRECTIONAL ESD | Other | VMMBZ33C1HD1HG3-08 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SZMMBZ39VCLT1G
onsemi
|
1 | SOT-23 Package; Working Peak Reverse Voltage Range - 12.8 V, 22 V, 31.2 | SOT23 (3-Pin) | SZMMBZ39VCLT1G |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MMBZ33VAT-Q
Nexperia
|
1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 137.2W, 26V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236AB | MMBZ33VAT-Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MMBZ33VCHQF2
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
|
1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 40W, 26V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon | MMBZ33VCHQF2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MMBZ33VAL-7
Diodes Incorporated
|
1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 40W, 26V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon | MMBZ33VAL-7 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MMBZ33VBU-Q
Nexperia
|
1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 163.8W, 27V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon | MMBZ33VBU-Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MMBZ39VD
Leiditech
|
1 | MMBZ39VD SOT-23 TVS diode array with 36V operating voltage, 300W peak pulse power, ultra low leakage current of nA level, and protection compliant to IEC 61000-4-2 ±25kV ESD standard. | MMBZ39VD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MMBZ33VCL/DG,215
NXP Semiconductors
|
1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 40W, 26V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, TO-236AB | MMBZ33VCL/DG,215 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MMBZ33VAL
Galaxy Microelectronics
|
1 | Trans Voltage Suppressor Diode | MMBZ33VAL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MMBZ33VAHQF2
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
|
1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 40W, 26V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon | MMBZ33VAHQF2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MMBZ33VALT3
onsemi
|
1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 40W, 26V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236 | MMBZ33VALT3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MMBZ33VALAQ-13
Diodes Incorporated
|
1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 40W, 26V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon | MMBZ33VALAQ-13 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MMBZ33VAL/DG
NXP Semiconductors
|
1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 26V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, TO-236AB | MMBZ33VAL/DG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MMBZ33VST-Q
Nexperia
|
1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 150.5W, 27V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, TO-236AB | MMBZ33VST-Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MMBZ33VAL
NXP Semiconductors
|
1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 40W, 26V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236AB | MMBZ33VAL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MMBZ30VALT116
ROHM Semiconductor
|
1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 40W, 24V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon | MMBZ30VALT116 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MMBZ39VCLT3G
onsemi
|
1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 40W, 31.2V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236 | MMBZ39VCLT3G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||