Showing 25 of 53 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S113P(TE12LF)
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Bipolar Transistor | MT3S113P(TE12LF) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S111TULF(T
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN | MT3S111TULF(T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S15TU(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN | MT3S15TU(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S110FS
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN | MT3S110FS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S113(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN | MT3S113(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S113TU,LF(T
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor | MT3S113TU,LF(T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S113TU(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN | MT3S113TU(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S106FS
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN | MT3S106FS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S111TU(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN | MT3S111TU(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S113
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, TO-236 | MT3S113 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S11T
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | MT3S11T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S12T
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN | MT3S12T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S113(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN | MT3S113(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S18T
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | MT3S18T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S105FS
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN | MT3S105FS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S19
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-236 | MT3S19 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S111(TE85LF)
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, TO-236 | MT3S111(TE85LF) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S150P
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.09A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, NPN | MT3S150P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S19R(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN | MT3S19R(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S16U(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN | MT3S16U(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S18FS
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | MT3S18FS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S113TU
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN | MT3S113TU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S113(TE85LF)
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor | MT3S113(TE85LF) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S109FS
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-1E1A, FSM, 3 PIN, BIP RF Small Signal | MT3S109FS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT3S19R
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | MT3S19R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||