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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD2N50-1
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | MTD2N50-1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTD2N20
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | MTD2N20 |
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MTD2N50E
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | MTD2N50E |
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MTD2N20T4
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | MTD2N20T4 |
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JMTD2N7002KS
Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd
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1 | N-channel MOSFET with 60V drain-source voltage, 0.2A continuous drain current, RDS(on) less than 2.8 ohms at VGS = 5V, available in DFN1006-3L package. | JMTD2N7002KS |
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S203MT-D2NA
ABB Semiconductors
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1 | THERMAL MAGNETIC CIRCUIT BREAKER | S203MT-D2NA |
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S201MT-D2NA
ABB Semiconductors
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1 | THERMAL MAGNETIC CIRCUIT BREAKER | S201MT-D2NA |
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