Showing 25 of 103 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NE3508M04-T2-A
NEC Electronics Group
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET | NE3508M04-T2-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE3505M04
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Transistor | NE3505M04 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE3508M04-T2-A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET | NE3508M04-T2-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE350184C
Renesas Electronics Corporation
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel | NE350184C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE3503M04-A
NEC Electronics Group
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET | NE3503M04-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE3509M04-T2B-A
Renesas Electronics Corporation
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET | NE3509M04-T2B-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE3508M04-T2B-A
Renesas Electronics Corporation
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET | NE3508M04-T2B-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE350184C-T1A-A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Silicon, N-Channel, Junction FET | NE350184C-T1A-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE3503M04
Renesas Electronics Corporation
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET | NE3503M04 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE3503M04-T2
Renesas Electronics Corporation
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET | NE3503M04-T2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE3503M04-T2
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET, SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN | NE3503M04-T2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE3503M04-T2-A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET | NE3503M04-T2-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE3509M04
Renesas Electronics Corporation
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET | NE3509M04 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE3508M04-T2-A
Renesas Electronics Corporation
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET | NE3508M04-T2-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE3509M04-A
NEC Electronics Group
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET | NE3509M04-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE3508M04-A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET | NE3508M04-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE3509M04-T2B-A
NEC Electronics Group
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET | NE3509M04-T2B-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE3509M04-T2
Renesas Electronics Corporation
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET | NE3509M04-T2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE3509M04-A
Renesas Electronics Corporation
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET | NE3509M04-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE350184C-T1-A
Renesas Electronics Corporation
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Silicon, N-Channel, Junction FET | NE350184C-T1-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE350184C-T1A-A
NEC Electronics Group
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Silicon, N-Channel, Junction FET | NE350184C-T1A-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
T495C106M020ANE3507280
KEMET Corporation
|
1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 20V, 20% +Tol, 20% -Tol, 10uF, Surface Mount, 2312 | T495C106M020ANE3507280 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
T495C226M016ANE3507280
KEMET Corporation
|
1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 16V, 20% +Tol, 20% -Tol, 22uF, Surface Mount, 2312 | T495C226M016ANE3507280 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
M911201NE3-50M00000
Microchip Technology Inc
|
1 | CMOS Output Clock Oscillator, 50MHz Nom | M911201NE3-50M00000 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
T495B107M010ANE350
KEMET Corporation
|
1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 100uF, Surface Mount, 1411 | T495B107M010ANE350 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||