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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5500434
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5500434 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5500134
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5500134 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5500234-T1-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5500234-T1-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5504N
Philips Semiconductors
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1 | 0.5A, 7 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR | NE5504N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5500134-T1-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5500134-T1-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5501N
NXP Semiconductors
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1 | TRANSISTOR 0.5 A, 7 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power | NE5501N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5500134-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5500134-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5502N
Philips Semiconductors
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1 | 0.5A, 7 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR | NE5502N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5500179A-T1
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5500179A-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5500234-T1-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5500234-T1-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5500479A-T1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5500479A-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5500479A
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5500479A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5500179A-T1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5500179A-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5500179A-T1
NEC Electronics Group
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5500179A-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5504N
NXP Semiconductors
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1 | TRANSISTOR 0.5 A, 7 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power | NE5504N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5501N
Signetics
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1 | Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 7-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 16 Pin | NE5501N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5502N
Signetics
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1 | Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 7-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 16 Pin | NE5502N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5500134-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5500134-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5500479A-T1-A
NEC Electronics Group
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5500479A-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5500479A-T1
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5500479A-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5500479A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5500479A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5500234-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5500234-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5500479A
NEC Electronics Group
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5500479A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5500234
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5500234 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5503N
Philips Semiconductors
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1 | Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 7 Driver, PDIP16 | NE5503N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||