Showing 25 of 116 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NE5517A-250
LSI Corporation
|
1 | EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, MOS, PQCC32 | NE5517A-250 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5517NSIIB
Philips Semiconductors
|
1 | Operational Amplifier, 2 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, PDIP16 | NE5517NSIIB |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5510179A-T1
California Eastern Laboratories (CEL)
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5510179A-T1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5512N-B
Philips Semiconductors
|
1 | Operational Amplifier, 2 Func, BIPolar, PDIP8 | NE5512N-B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5512FE
NXP Semiconductors
|
1 | Operational Amplifier, 2 Func, 6000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8 | NE5512FE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5512D-T
NXP Semiconductors
|
1 | Operational Amplifier, 2 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8 | NE5512D-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5511279A-T1
NEC Electronics America Inc
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | NE5511279A-T1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5514D
Philips Semiconductors
|
1 | Operational Amplifier, 4 Func, 6000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO16 | NE5514D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5511279A
NEC Electronics Group
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5511279A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5517N-B
Philips Semiconductors
|
1 | Operational Amplifier, 2 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, PDIP16 | NE5517N-B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5517A-300
LSI Corporation
|
1 | EEPROM, 2KX8, 300ns, Parallel, MOS, PQCC32 | NE5517A-300 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5514F
NXP Semiconductors
|
1 | Operational Amplifier, 4 Func, 6000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP14 | NE5514F |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5517AH-300
LSI Corporation
|
1 | EEPROM, 2KX8, 300ns, Parallel, MOS, PQCC32 | NE5517AH-300 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5511279A-T1A-A
NEC Electronics Group
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5511279A-T1A-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5511279A-T1A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5511279A-T1A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5514N-B
Philips Semiconductors
|
1 | Operational Amplifier, 4 Func, 6000uV Offset-Max, BIPolar, PDIP14 | NE5514N-B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE55113K+/-.5%
Vishay Intertechnologies
|
1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 113000ohm, 250V, 0.5% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, | NE55113K+/-.5% |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5517AD
Philips Semiconductors
|
1 | Operational Amplifier, 2 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO16 | NE5517AD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5511279A-A
Renesas Electronics Corporation
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5511279A-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5514F-B
Philips Semiconductors
|
1 | Operational Amplifier, 4 Func, 6000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP14 | NE5514F-B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5512N
Philips Semiconductors
|
1 | Operational Amplifier, 2 Func, BIPolar, PDIP8 | NE5512N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5511279A-T1
California Eastern Laboratories (CEL)
|
1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5511279A-T1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5510379A-T1
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5510379A-T1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5516AH-250
LSI Corporation
|
1 | EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, MOS, PQCC32 | NE5516AH-250 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NE5517N
NXP Semiconductors
|
1 | Operational Amplifier, 2 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, PDIP16 | NE5517N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||