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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5520D-T
NXP Semiconductors
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1 | Signal Conditioner, PDSO16 | NE5520D-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE552K37+/-.5%
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 2370ohm, 250V, 0.5% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, | NE552K37+/-.5% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE552R679A-T1A-A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE552R679A-T1A-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5520D
Signetics
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0 | Signal Conditioner, Bipolar, PDSO16 | NE5520D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5520279A-A
NEC Electronics Group
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5520279A-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5520279A-T1A-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5520279A-T1A-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5520379A-A
NEC Electronics Group
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5520379A-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE552R679A-A
NEC Electronics Group
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE552R679A-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5520D
Philips Semiconductors
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1 | LVDT or RVDT to Digital Converter, Bipolar, PDSO16 | NE5520D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE552R479A-T1A
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE552R479A-T1A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5520279A-T1-A
NEC Electronics Group
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1 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, 79A, 4 PIN | NE5520279A-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5520279A-T1A-A
NEC Electronics Group
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5520279A-T1A-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE552R479A-T1A-A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE552R479A-T1A-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5523K7+/-.1%
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 23700ohm, 250V, 0.1% +/-Tol, 25ppm/Cel, Through Hole Mount | NE5523K7+/-.1% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE552R679A-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE552R679A-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5520379A-T1
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5520379A-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE552R679A-T1A
NEC Electronics Group
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE552R679A-T1A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5520379A-T1A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | NE5520379A-T1A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE552K26+/-.25%
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 2260ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, 25ppm/Cel, Through Hole Mount | NE552K26+/-.25% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE552R479A-T1A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE552R479A-T1A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5520F
Philips Semiconductors
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1 | LVDT or RVDT to Digital Converter, Bipolar, CDIP16 | NE5520F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE55215K+/-.25%
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 215000ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, 25ppm/Cel, Through Hole Mount | NE55215K+/-.25% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5520279A-T1-A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN | NE5520279A-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5521F
Philips Semiconductors
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1 | LVDT or RVDT to Digital Converter, Bipolar, CDIP18 | NE5521F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE552R679A-T1A-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE552R679A-T1A-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||