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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE6510179A-A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET | NE6510179A-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE6510379A-A
NEC Electronics Group
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET | NE6510379A-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE6510179A-T1
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, N-Channel, Junction FET | NE6510179A-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE6510179A-T1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET | NE6510179A-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE6510379A
NEC Electronics Group
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET | NE6510379A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE651R479A-T1
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, N-Channel, Junction FET | NE651R479A-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE6510179A-T1
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET | NE6510179A-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE651R479A
NEC Electronics Group
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET | NE651R479A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE6510379A-T1-A
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET | NE6510379A-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE6510179A-TI
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | NE6510179A-TI |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE651R479A-T1
NEC Electronics Group
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET | NE651R479A-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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