Showing 25 of 127 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RD25M10ANES-14
Amphenol Positronic
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1 | D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Male, 0.109 inch Pitch, Crimp Terminal, Hole .12 | RD25M10ANES-14 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NES1823M-180-A
NEC Electronics Group
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | NES1823M-180-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NES1823M-240
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | NES1823M-240 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NES1823M-180-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | NES1823M-180-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NES1823P-100
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, L Band, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NES1823P-100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NES1823P-140
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NES1823P-140 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPC58NG80E7NES1X
STMicroelectronics
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1 | Microcontroller, 32-Bit, FLASH, SPC58 CPU, 120MHz, CMOS, PQFP176 | SPC58NG80E7NES1X |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NES1821B-30
California Eastern Laboratories (CEL)
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NES1821B-30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPC58EG84E5NES1X
STMicroelectronics
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1 | Microcontroller, 32-Bit, FLASH, SPC58 CPU, 120MHz, CMOS, PQFP144 | SPC58EG84E5NES1X |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RD50S10ANES-14
Amphenol Positronic
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1 | D Subminiature Connector, 50 Contact(s), Female, 0.109 inch Pitch, Crimp Terminal, Hole .12 | RD50S10ANES-14 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NES1823P-70
NEC Electronics Group
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NES1823P-70 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPC58NG84E7NES1Y
STMicroelectronics
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1 | Microcontroller, 32-Bit, FLASH, SPC58 CPU, 120MHz, CMOS, PQFP176 | SPC58NG84E7NES1Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NES1823P-45
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NES1823P-45 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPC58EG80C3NES1Y
STMicroelectronics
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1 | Microcontroller, 32-Bit, FLASH, SPC58 CPU, 120MHz, CMOS, PBGA292 | SPC58EG80C3NES1Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NES1821P-50
Renesas Electronics Corporation
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1 | Transistor | NES1821P-50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UM7925V0WSNES1
Universal Microelectronics Co Ltd
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1 | Analog Circuit | UM7925V0WSNES1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NES1818-20B
California Eastern Laboratories (CEL)
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NES1818-20B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NES1720P-140
California Eastern Laboratories (CEL)
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NES1720P-140 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NES1823M-240-A
NEC Electronics Group
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | NES1823M-240-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPC584G84E7NES1X
STMicroelectronics
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1 | Microcontroller, 32-Bit, FLASH, SPC58 CPU, 120MHz, CMOS, PQFP176 | SPC584G84E7NES1X |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPC58EG80E7NES1Y
STMicroelectronics
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1 | Microcontroller, 32-Bit, FLASH, SPC58 CPU, 120MHz, CMOS, PQFP176 | SPC58EG80E7NES1Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NES1823M-240
NEC Electronics Group
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | NES1823M-240 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NES1823M-45
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | NES1823M-45 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPC58NG84E7NES1X
STMicroelectronics
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1 | Microcontroller, 32-Bit, FLASH, SPC58 CPU, 120MHz, CMOS, PQFP176 | SPC58NG84E7NES1X |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NES1823P-70
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, N-Channel, Metal Semiconductor FET | NES1823P-70 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||