Showing 25 of 6814 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PDG-E1-AY
Renesas Electronics
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1 | Power MOSFETs for Automotive | NP110N04PDG-E1-AY |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUG-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N055PUG-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUJ-E1B-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N055PUJ-E1B-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUK-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N055PUK-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUG-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N055PUG-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PUG-E1-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N04PUG-E1-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N03PUG-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 30V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N03PUG-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N03PUG-E2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N03PUG-E2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N03PUG-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N03PUG-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUJ-E1B-AY
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, MP-25ZP, TO-263, 3 PIN | NP110N055PUJ-E1B-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUG
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N055PUG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PUG-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N04PUG-E2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PUG-E1
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N04PUG-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PUJ-E1B-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N04PUJ-E1B-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP1100GBRLG
onsemi
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1 | Thyristor Surge Protector, 130V V(BO) Max, DO-15 | NP1100GBRLG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PUG-E2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N04PUG-E2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PUG-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N04PUG-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP1100SCT3G
onsemi
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1 | Thyristor Surge Protector, 130V V(BO) Max, DO-214AA | NP1100SCT3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N03PUG
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 30V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N03PUG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PUG
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N04PUG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUG-E2-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N055PUG-E2-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP1100GARLG
onsemi
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1 | Thyristor Surge Protector, 130V V(BO) Max, DO-15 | NP1100GARLG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUG-E1
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N055PUG-E1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PDG
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, MP-25ZP, 3 PIN | NP110N04PDG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N03PUG-E1-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N03PUG-E1-AZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||