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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTD4865N-35G
Rochester Electronics LLC
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1 | 8.5A, 25V, 0.0109ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AC-01, 3 IPAK-3 | NTD4865N-35G |
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NTD4855NT4G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 25V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTD4855NT4G |
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NTD4860NT4G
Rochester Electronics LLC
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1 | 10.4A, 25V, 0.0111ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3 | NTD4860NT4G |
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NTD4810NH-1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 0.0167ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTD4810NH-1G |
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NTD4809NH-35G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTD4809NH-35G |
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NTD4855NT4G
Rochester Electronics LLC
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1 | 14A, 25V, 0.006ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 369AA-01, DPAK-3 | NTD4855NT4G |
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NTD4810N-1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.6A I(D), 30V, 0.0157ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTD4810N-1G |
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NTD4810NHT4G
Rochester Electronics LLC
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1 | 10.8A, 30V, 0.0167ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK, CASE 369C, 3 PIN | NTD4810NHT4G |
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NTD4855N-1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 25V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTD4855N-1G |
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NTD4865N-1G
Rochester Electronics LLC
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1 | 8.5A, 25V, 0.0109ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369D-01, IPAK-3 | NTD4865N-1G |
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NTD4863N-35G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 25V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTD4863N-35G |
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NTD4810NH-1G
Rochester Electronics LLC
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1 | 10.8A, 30V, 0.0167ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, IPAK, CASE 369AC, 3 PIN | NTD4810NH-1G |
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NTD4856N-1G
Rochester Electronics LLC
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1 | 13.3A, 25V, 0.0068ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369D-01, IPAK-3 | NTD4856N-1G |
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NTD4806N1G
onsemi
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1 | 11A, 30V, 0.0094ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, CASE 369D-01, DPAK-3 | NTD4806N1G |
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NTD4854NT4G
Rochester Electronics LLC
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1 | 15.7A, 25V, 0.0047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3 | NTD4854NT4G |
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NTD4815NHT4G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTD4815NHT4G |
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NTD4856N-35G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.3A I(D), 25V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTD4856N-35G |
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NTD4857NT4G
Rochester Electronics LLC
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1 | 12A, 25V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AA-01, DPAK-3 | NTD4857NT4G |
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NTD4815NT4G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTD4815NT4G |
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NTD4856N-35G
Rochester Electronics LLC
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1 | 13.3A, 25V, 0.0068ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369AC-01, 3 IPAK-3 | NTD4856N-35G |
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NTD4805N-1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.6A I(D), 30V, 0.0074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTD4805N-1G |
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NTD4809N-1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTD4809N-1G |
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NTD4808NT4G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 0.0124ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTD4808NT4G |
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NTD4863N-1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 25V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTD4863N-1G |
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NTD4854N-1G
Rochester Electronics LLC
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1 | 15.7A, 25V, 0.0047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 369D-01, IPAK-3 | NTD4854N-1G |
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