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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6050SJ
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | OM6050SJ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6053SJ
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | OM6053SJ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6051SJV
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 200V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | OM6051SJV |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6054SJ1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 800V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | OM6054SJ1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6052SJV
Omnirel Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | OM6052SJV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6056SB
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | OM6056SB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6050SJ1
Infineon Technologies AG
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0 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | OM6050SJ1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6053SJ1
Omnirel Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | OM6053SJ1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6058SB
Omnirel Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 500V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | OM6058SB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6050SJ1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | OM6050SJ1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6051SJT
Infineon Technologies AG
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0 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 200V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | OM6051SJT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6052SJ
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | OM6052SJ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6053SJT
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | OM6053SJT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6055SJV
Infineon Technologies AG
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0 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | OM6055SJV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6050SJ1
Omnirel Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | OM6050SJ1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6053SJ1
Infineon Technologies AG
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0 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | OM6053SJ1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6052SJ
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | OM6052SJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6050SJPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | OM6050SJPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6050SJTPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | OM6050SJTPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6054SJ1
Infineon Technologies AG
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0 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 800V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | OM6054SJ1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6051SJ1
Infineon Technologies AG
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0 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 200V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | OM6051SJ1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6051SJ1
Omnirel Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 200V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | OM6051SJ1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6054SJV
Omnirel Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 800V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | OM6054SJV |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6052SJ1
Infineon Technologies AG
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0 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | OM6052SJ1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OM6058SB
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | OM6058SB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||