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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PA2753NL
Yageo Group
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1 | SMT Common Mode Chokes | PA2753NL |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PA2752NL
Yageo Group
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1 | Common Mode Chokes / Filters 200mOhms 10150uH SMD Toroid Choke | PA2752NL |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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E1SPA27-5.200M
Ecliptek Corporation
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 5.2MHz Nom | E1SPA27-5.200M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSN2CPA275J
KOA Speer Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 10W, 2700000ohm, 60000V, 5% +/-Tol, 1500ppm/Cel, Through Hole Mount | PSN2CPA275J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PPA-27533010000H
EXXELIA Group
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1 | Film Capacitor, Polypropylene, 5% +Tol, 5% -Tol, 7uF, Chassis Mount, | PPA-27533010000H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2750GR-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.0239ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2750GR-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2750GR-E1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2750GR-E1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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E1SPA27-5.120MTR
Ecliptek Corporation
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 5.12MHz Nom | E1SPA27-5.120MTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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E2UPA27-5.000M
Ecliptek Corporation
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 5MHz Nom | E2UPA27-5.000M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2755GR-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2755GR-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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E1UPA27-5.200M
Ecliptek Corporation
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 5.2MHz Nom | E1UPA27-5.200M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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E1SPA27-5.83668M
Ecliptek Corporation
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 5.83668MHz Nom | E1SPA27-5.83668M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2753GR-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.0364ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2753GR-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2751GR
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.041ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2751GR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2755GR-E2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2755GR-E2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2754GR
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0186ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2754GR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CF1/4LVTPA275G
KOA Speer Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Carbon Film, 0.25W, 2700000ohm, 300V, 2% +/-Tol, 1300ppm/Cel, Through Hole Mount | CF1/4LVTPA275G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5MPA2756E
Electronic Concepts Inc
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1 | Film Capacitor, Polypropylene, 3% +Tol, 3% -Tol, 75uF, Chassis Mount | 5MPA2756E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSN2CPA275K
KOA Speer Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 10W, 2700000ohm, 60000V, 10% +/-Tol, 1500ppm/Cel, Through Hole Mount | PSN2CPA275K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5MPA2756J
Electronic Concepts Inc
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1 | Film Capacitor, Polypropylene, 5% +Tol, 5% -Tol, 75uF, Chassis Mount | 5MPA2756J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2756GR-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2756GR-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2756GR-E1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2756GR-E1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2755GR-E2-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2755GR-E2-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPA2756GR-E2-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | UPA2756GR-E2-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PPA-27526010000H
EXXELIA Group
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1 | Film Capacitor, Polypropylene, 5% +Tol, 5% -Tol, 7uF, Chassis Mount, | PPA-27526010000H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||