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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS306NZ-QF
Nexperia
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1 | 100 V, 5.1 A NPN low VCEsat transistor | SOT223 (3-Pin) | PBSS306NZ-QF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS304NZ-QF
Nexperia
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1 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 5.2 A 130MHz 700 mW Surface Mount SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | PBSS304NZ-QF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS302PD-QH
Nexperia
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1 | Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat• 4 A continuous collector current capability IC• Up to 15 A peak current• Very low collector-emitter saturation resistance• High efficiency due to less heat generation• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications | SOT23 (6-Pin) | PBSS302PD-QH |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS304PX
Nexperia
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1 | NXP Semiconductors | Other | PBSS304PX |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS302NZ,135
Nexperia
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1 | NEXPERIA - PBSS302NZ,135 - TRANS NPN 20V 5.8A SOT-223 | Other | PBSS302NZ,135 |
3
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PBSS304ND
Nexperia
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1 | PBSS304ND, NPN Bipolar Transistor, 3A 80V HFE:35V 140MHz Small Signal, 6-Pin TSOP | SOT23 (6-Pin) | PBSS304ND |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS303NZ-QF
Nexperia
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1 | 30 V, 5.5 A NPN low VCEsat transistor | SOT223 (3-Pin) | PBSS303NZ-QF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS302NZ-QF
Nexperia
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1 | PBSS302NZ - 20 V, 5.8 A NPN low VCEsat transistor@en-us | SOT223 (3-Pin) | PBSS302NZ-QF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS302NX-QX
Nexperia
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1 | PBSS302NX-Q - 20 V, 5.3 A NPN low VCEsat transistor@en-us | Other | PBSS302NX-QX |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS303PZ-QF
Nexperia
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1 | 30 V, 5.3 A PNP low VCEsat transistor,PNP low VCEsat transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage. | SOT223 (3-Pin) | PBSS303PZ-QF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS305NZ-QF
Nexperia
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1 | 80 V, 5.1 A NPN low VCEsat transistor | SOT223 (3-Pin) | PBSS305NZ-QF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS302PD-QX
Nexperia
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1 | Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat• 4 A continuous collector current capability IC• Up to 15 A peak current• Very low collector-emitter saturation resistance• High efficiency due to less heat generation• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications | SOT23 (6-Pin) | PBSS302PD-QX |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS3540M-QYL
Nexperia
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1 | 40 V, 0.5 A PNP low VCEsat transistor | Other | PBSS3540M-QYL |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS305PZ-QF
Nexperia
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1 | ow collector-emitter saturation voltage VCEsat• High collector current capability IC and ICM• High collector current gain (hFE) at high IC• High efficiency due to less heat generation• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applicationsow collector-emitter saturation voltage VCEsat• High collector current capability IC and ICM• High collector current gain (hFE) at high IC• High efficiency due to less heat generation• Qualified according to AEC-Q101 and recommen | SOT223 (3-Pin) | PBSS305PZ-QF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS305ND,115
Nexperia
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1 | Bipolar Transistors - BJT TRANS BISS TAPE-7 | SOT23 (6-Pin) | PBSS305ND,115 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS305PX-QX
Nexperia
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1 | PBSS305PX-Q - 80 V, 4.0 A PNP low VCEsat transistor@en-us | Other | PBSS305PX-QX |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS302PX-QX
Nexperia
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1 | PBSS302PX-Q - 20 V, 5.1 A PNP low VCEsat transistor@en-us | Other | PBSS302PX-QX |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS302ND-QH
Nexperia
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1 | PBSS302ND-Q - 40 V, 4 A NPN low VCEsat transistor@en-us | SOT23 (6-Pin) | PBSS302ND-QH |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS301NX-QX
Nexperia
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1 | PBSS301NX-Q - 12 V, 5.3 A NPN low VCEsat transistor@en-us | Other | PBSS301NX-QX |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS301PX-QX
Nexperia
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1 | PBSS301PX-Q - 12 V, 5.3 A PNP low VCEsat transistor@en-us | Other | PBSS301PX-QX |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS303NX-Q
Nexperia
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1 | Power Bipolar Transistor, 5.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-243AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin | PBSS303NX-Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS3515MB
Nexperia
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | PBSS3515MB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS303ND-Q
Nexperia
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 6 Pin | PBSS303ND-Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS304PX/DG,135
NXP Semiconductors
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1 | Power Bipolar Transistor, 4.2A I(C), 1-Element, PNP | PBSS304PX/DG,135 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBSS306PX-Q
Nexperia
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1 | Power Bipolar Transistor, 3.7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-243AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin | PBSS306PX-Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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