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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5540DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,550V V(BR)DSS,CHIP / DIE | APT5540DN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5540HN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5540HN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5545BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 550V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT5545BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5545AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 550V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | APT5545AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5540BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 550V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5540BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5545BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 17A, 550V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT5545BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5545BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 17A, 550V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT5545BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5545HN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,550V V(BR)DSS,15.5A I(D),TO-258ISO | APT5545HN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5540AN
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5540AN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5545HN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5545HN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5545BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 550V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5545BN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5540BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 18A, 550V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT5540BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5545BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 550V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5545BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5540DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5540DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5540BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 18A, 550V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT5540BN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5540BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 550V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5540BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5540AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5540AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CMPP-T5-5-450
ASC Capacitors
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1 | Film Capacitor, Polypropylene, 5% +Tol, 5% -Tol, 5uF, Chassis Mount, RADIAL LEADED | CMPP-T5-5-450 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CMPP-T5-5-400
ASC Capacitors
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1 | Film Capacitor, Polypropylene, 5% +Tol, 5% -Tol, 5uF, Chassis Mount, RADIAL LEADED | CMPP-T5-5-400 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5545AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5545AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5540HN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,550V V(BR)DSS,16.5A I(D),TO-258ISO | APT5540HN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5545BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 17A, 550V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT5545BN-BUTT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5540BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 18A, 550V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT5540BN-BUTT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5540BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 550V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT5540BN-BUTT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5540AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), 550V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | APT5540AN |
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