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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB091802FCV1R0
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB091802FCV1R0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB090901FAV2R250XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB090901FAV2R250XTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB090901FA-V2-R250
Cree, Inc.
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, | PTFB090901FA-V2-R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB090901FA-V2-R0
Wolfspeed
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | PTFB090901FA-V2-R0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB093608FVV3R0XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB093608FVV3R0XTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB072707FHV1R0
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | PTFB072707FHV1R0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB093608FVV3R2
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB093608FVV3R2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB090901FAV2R0
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | PTFB090901FAV2R0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB093608FV-V3-R2
Cree, Inc.
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, | PTFB093608FV-V3-R2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB091507FHV1XWSA1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB091507FHV1XWSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB091507FHV1R250
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB091507FHV1R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB090901EAV2R250
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | PTFB090901EAV2R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB092707FHV1R250XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB092707FHV1R250XTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB072707FH-V1-R0
Wolfspeed
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | PTFB072707FH-V1-R0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB092707FHV1R250
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB092707FHV1R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB093608FVV2XWSA1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | PTFB093608FVV2XWSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB091507FH-V1-R250
Wolfspeed
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | PTFB091507FH-V1-R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB092707FH-V1-R250
Wolfspeed
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, | PTFB092707FH-V1-R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB090901FAV1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | PTFB090901FAV1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB090901EAV2R0XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB090901EAV2R0XTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB090901EAV2R0
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB090901EAV2R0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB092707FHV1R0
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | PTFB092707FHV1R0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB091507FHV1R0XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB091507FHV1R0XTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB093608SVV2R250
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB093608SVV2R250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB091802FC-V1-R0
Cree, Inc.
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, | PTFB091802FC-V1-R0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||