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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU120
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU120 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU121
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU121 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU110PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU110PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFU120Z
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | AUIRFU120Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU13N20D
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V, 0.235ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU13N20D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU1018EPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU1018EPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU110ATU
Rochester Electronics LLC
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1 | 4.7A, 100V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 | IRFU110ATU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU1205
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU1205 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU18N15D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU18N15D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU1010ZPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU1010ZPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU1N60A
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 600V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU1N60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU1N60A
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 600V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU1N60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU120ATU
Rochester Electronics LLC
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1 | 8.4A, 100V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 | IRFU120ATU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU120A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU120A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU121
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU121 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU120
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU120 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU120PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU120PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU110
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU110 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU1N60APBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 600V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU1N60APBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU13N15D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU13N15D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU110PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU110PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU1018EPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU1018EPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU13N20D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V, 0.235ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU13N20D |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU1205PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU1205PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU120
Rochester Electronics LLC
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1 | 8.4A, 100V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | IRFU120 |
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