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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF51399
TURCK Inc
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1 | Wire And Cable, 3 Conductor(s), 24AWG, 300V, Flexible Cord And Fixture Wire | RF51399 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF51312
TURCK Inc
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1 | Wire And Cable, 2 Conductor(s), 22AWG, 300V, Flexible Cord And Fixture Wire | RF51312 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513-010PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-004PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513-006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRF513 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513-005PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SRF-51-3.7
JST Manufacturing
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1 | Ring Terminal, 2mm2 | SRF-51-3.7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ADRF5132BCPZN-R7
Analog Devices Inc
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1 | Diversity Switch, 700MHz Min, 5000MHz Max, 1 Func | ADRF5132BCPZN-R7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513
Advanced Microelectronic Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-011
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,80V V(BR)DSS,4.9A I(D),TO-220AB | IRF513 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-001PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-001PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513
Supertex Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-002
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513-013PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-010 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF513-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF513-011PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||