Showing 25 of 1665 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6215S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 150V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6215S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FP0001237RF6201EK
Vishay Intertechnologies
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1 | RESISTOR, METAL FILM, 1W, 1%, 150ppm, 237ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT | FP0001237RF6201EK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF622-011
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF622-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF623-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF623-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF624-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF624-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF621
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF621 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2QSP24-RF6-253/503
Bourns Inc
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1 | RESISTOR, NETWORK, FILM, R-2R LADDER, 1W, SURFACE MOUNT, 1634, QSOP | 2QSP24-RF6-253/503 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF620-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF620-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF622-013PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF622-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF620CHIP
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF620CHIP |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHE450RF6220HR06L2
KEMET Corporation
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1 | Film Capacitor, Polypropylene, 1600V, 2.5% +Tol, 2.5% -Tol, 0.22uF, Through Hole Mount | PHE450RF6220HR06L2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF624L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF624L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHE450RF6220HR17T1
KEMET Corporation
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1 | Film Capacitor, Polypropylene, 1600V, 2.5% +Tol, 2.5% -Tol, 0.22uF, Through Hole Mount | PHE450RF6220HR17T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHE844RF6220KT1
KEMET Corporation
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1 | Film Capacitor, Polypropylene, 10% +Tol, 10% -Tol, 0.22uF, Through Hole Mount | PHE844RF6220KT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF623-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF623-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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660-083-UCRF626-6
Glenair Inc
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1 | Connector Accessory, Cover Item, Aluminum | 660-083-UCRF626-6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MFR1WSCRF-62K6
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 1W, 62600ohm, 400V, 0.25% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MFR1WSCRF-62K6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF6276
Qorvo
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1 | Narrow Band Medium Power Amplifier, 777MHz Min, 787MHz Max, 1 Func, GAAS | RF6276 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MOR200SJTRF62R
Hitano Enterprise Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 2W, 62ohm, 500V, 5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT | MOR200SJTRF62R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MOR300JTRF620K
Hitano Enterprise Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 3W, 620000ohm, 500V, 5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT | MOR300JTRF620K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMF-25FRF62R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 62ohm, 250V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | FMF-25FRF62R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHE450RF6270JR13
KEMET Corporation
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1 | Film Capacitor, Polypropylene, 1600V, 5% +Tol, 5% -Tol, 0.27uF, Through Hole Mount | PHE450RF6270JR13 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF622-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF622-003 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CFR2WSJR-F62R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Carbon Film, 2W, 62ohm, 500V, 5% +/-Tol, 350ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | CFR2WSJR-F62R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF620STRLPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF620STRLPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||