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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD122
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,1.1A I(D),TO-250VAR | IRFD122 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD120
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD120 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD123
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD123 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD120
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD120 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD123
Motorola Semiconductor Products
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD123 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD122
Harris Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD120PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD120PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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100RFD124J
Rubycon Corporation
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1 | CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYPHENYLENE SULPHIDE, 100V, 0.12uF, SURFACE MOUNT, 3124, CHIP | 100RFD124J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD120
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-250AA | IRFD120 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD120
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD120 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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100RFD123KT
Rubycon Corporation
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1 | CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYPHENYLENE SULPHIDE, 100V, 0.012uF, SURFACE MOUNT, 3122, CHIP | 100RFD123KT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD121
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,80V V(BR)DSS,1.3A I(D),TO-250VAR | IRFD121 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD123
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 80V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD123 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD123R
Harris Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD123R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD123R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD123R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD123
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD123 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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250RFD123JT
Rubycon Corporation
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1 | CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYPHENYLENE SULPHIDE, 250V, 0.012uF, SURFACE MOUNT, 3122, CHIP | 250RFD123JT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD122
Motorola Semiconductor Products
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD120
Rochester Electronics LLC
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1 | 1300mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | IRFD120 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD121
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD121 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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100RFD124K
Rubycon Corporation
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1 | CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYPHENYLENE SULPHIDE, 100V, 0.12uF, SURFACE MOUNT, 3124, CHIP | 100RFD124K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD120
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD120 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD120R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD120R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD120
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRFD120 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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100RFD123K
Rubycon Corporation
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1 | CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYPHENYLENE SULPHIDE, 100V, 0.012uF, SURFACE MOUNT, 3122, CHIP | 100RFD123K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||