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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD16N05 |
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RFD16N05LSM_NL
Rochester Electronics LLC
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1 | 16A, 50V, 0.056ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, LEAD FREE PACKAGE-3 | RFD16N05LSM_NL |
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RFD16N03LSM
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N03LSM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N02L
Rochester Electronics LLC
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1 | 16A, 20V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | RFD16N02L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05SM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N05SM9A |
0
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RFD16N03L
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD16N03L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05L
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD16N05L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N06LESM
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N06LESM |
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RFD16N03L
Harris Semiconductor
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0 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD16N03L |
0
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RFD16N06SM
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N06SM |
0
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RFD16N05LSM9A
Rochester Electronics LLC
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1 | 16A, 50V, 0.056ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252AA VARIANT, 3 PIN | RFD16N05LSM9A |
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RFD16N05SM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N05SM9A |
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RFD16N03LSM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N03LSM9A |
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RFD16N03LSM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N03LSM9A |
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RFD16N06LESM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N06LESM |
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RFD16N05LSM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N05LSM9A |
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RFD16N05SM9A
onsemi
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1 | N-Channel Power MOSFET 50V, 16A, 47mΩ | RFD16N05SM9A |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05LSM
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N05LSM |
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RFD16N05_NL
Rochester Electronics LLC
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1 | 16A, 50V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, LEAD FREE PACKAGE-3 | RFD16N05_NL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N05L
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD16N05L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD16N03LSM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N03LSM |
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RFD16N02L
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD16N02L |
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RFD16N05SM9A
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD16N05SM9A |
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RFD16N05
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD16N05 |
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RFD16N05
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 50V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD16N05 |
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