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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD213
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,150V V(BR)DSS,450MA I(D),TO-250VAR | IRFD213 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD210PBF
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD210PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD210
Motorola Semiconductor Products
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD210R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD210R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD212
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRFD212 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD214PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD214PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD213
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-250AA | IRFD213 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD212
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD212 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD213
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD213 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD210
Rochester Electronics LLC
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1 | 600mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | IRFD210 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD210R
Harris Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD210R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD210
Intersil Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD210
Harris Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD213
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRFD213 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD213
Motorola Semiconductor Products
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD213 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD211R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD211R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD213
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD213 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD213
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 150V, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD213 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD212
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD212 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD213
Harris Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD213 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD210PBF
Vishay Siliconix
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1 | TRANSISTOR 600 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, HVMDIP-4, FET General Purpose Small Signal | IRFD210PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD210
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD211
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRFD211 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD214
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD214 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD211
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD211 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||