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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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100RFD224JT
Rubycon Corporation
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1 | CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYPHENYLENE SULPHIDE, 100V, 0.22uF, SURFACE MOUNT, 4128, CHIP | 100RFD224JT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD221
Motorola Semiconductor Products
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD221 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD220
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD220 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD223
Rochester Electronics LLC
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1 | 700mA, 150V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | IRFD223 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD220
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRFD220 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD221
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRFD221 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD224PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.63A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD224PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD223
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD223 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD223
Harris Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD223 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD221
Rochester Electronics LLC
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1 | 800mA, 150V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | IRFD221 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD220
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,800MA I(D),TO-250VAR | IRFD220 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD221
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD221 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD220
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD220 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD220PBF
Vishay Siliconix
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1 | TRANSISTOR 800 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, HVMDIP-4, FET General Purpose Small Signal | IRFD220PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD222
Motorola Semiconductor Products
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD222 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD220
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD220 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD220
Harris Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD220 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD220R
Intersil Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD220R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD223R
Harris Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD223R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD223R
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD223R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD224PBF
Vishay
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1 | MOSFET N-Chan 250V 0.63 Amp | IRFD224PBF |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD223
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRFD223 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD223
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD223 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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250RFD223KT
Rubycon Corporation
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1 | CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYPHENYLENE SULPHIDE, 250V, 0.022uF, SURFACE MOUNT, 3122, CHIP | 250RFD223KT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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250RFD223K
Rubycon Corporation
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1 | CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYPHENYLENE SULPHIDE, 250V, 0.022uF, SURFACE MOUNT, 3122, CHIP | 250RFD223K |
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