Showing 25 of 64 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N10L
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP2N10L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N10
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP2N10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N10
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP2N10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N18
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP2N18 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N12L
General Electric Solid State
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1 | Transistor | RFP2N12L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N08
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP2N08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N12
General Electric Solid State
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1 | Transistor | RFP2N12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N15L
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP2N15L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N18
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP2N18 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N08
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP2N08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N18
Rochester Electronics LLC
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1 | 2A, 180V, 3.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP2N18 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N15L
Rochester Electronics LLC
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1 | 2A, 150V, 1.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP2N15L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N12L
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 120V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP2N12L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N10
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP2N10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N15L
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP2N15L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N20
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP2N20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N08
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 80V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP2N08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N20
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP2N20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N20
Rochester Electronics LLC
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1 | 2A, 200V, 3.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP2N20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N12L
Rochester Electronics LLC
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1 | 2A, 120V, 1.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP2N12L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N08L
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 80V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP2N08L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N20L
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP2N20L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N15
Rochester Electronics LLC
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1 | 2A, 150V, 1.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP2N15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N08L
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 80V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP2N08L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N12
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 120V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP2N12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||