Showing 25 of 552 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DRFS3250-40JC
Proxim Wireless
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1 | Numeric Controlled Oscillator, 8-Bit, CMOS, PQCC84 | DRFS3250-40JC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS-35V100ME3#5
TAIYO YUDEN
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 10uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | RFS-35V100ME3#5 |
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AUIRFS3307ZTRL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS3307ZTRL |
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IRFS3607TRL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3607TRL |
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RFS3827TR7
RF Micro Devices Inc
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1 | Wide Band Medium Power Amplifier | RFS3827TR7 |
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RFS-35V220MG3#5N
TAIYO YUDEN
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 22uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | RFS-35V220MG3#5N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRCIR02RFS-32-8P-F80-T108-VO
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 30 Contact(s), Aluminum Alloy, Male, Crimp Terminal, Receptacle | FRCIR02RFS-32-8P-F80-T108-VO |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRCIR02RFS-36-10PW-F80-T12
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 48 Contact(s), Aluminum Alloy, Male, Crimp Terminal, Receptacle | FRCIR02RFS-36-10PW-F80-T12 |
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MRFS3960HXV
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,30MA I(C),SOT-100VAR | MRFS3960HXV |
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AUIRFS3107
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS3107 |
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IRFS38N20DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 200V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS38N20DPBF |
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IRFS30N20DTRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS30N20DTRL |
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IRFS31N20DTRRP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS31N20DTRRP |
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IRFS3806TRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 60V, 0.0158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3806TRLPBF |
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IRFS38N20DTRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 200V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS38N20DTRL |
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CIR02RFS-36-10P
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 48 Contact(s), Aluminum Alloy, Male, Solder Terminal, Receptacle | CIR02RFS-36-10P |
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AUIRFS3004TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.00175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS3004TRL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS3607TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS3607TRL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V05-A-UC-RR-FS3BAR-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 500Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V05-A-UC-RR-FS3BAR-WM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3507TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3507TRR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS30N20DTRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS30N20DTRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DRFS3274KC
Digital RF Solutions Corp
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1 | Memory IC | DRFS3274KC |
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IRFS3206PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3206PBF |
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RFS300/RLS300
Mersen Electrical Power
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1 | Electric Fuse, 300A, 600VAC, 10000A (IR), Inline/holder | RFS300/RLS300 |
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AUIRFS3306
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS3306 |
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