Showing 25 of 555 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CIR02RFS-32-31P-F80
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 31 Contact(s), Aluminum Alloy, Male, Crimp Terminal, Receptacle | CIR02RFS-32-31P-F80 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GTS02RFS32-15S
Amphenol Corporation
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1 | MIL Series Connector, 8 Contact(s), Aluminum Alloy, Female, Solder Terminal, Receptacle | GTS02RFS32-15S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS3207Z
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS3207Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS350A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS350A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CIR02RFS-36-7S-F80-T12
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 47 Contact(s), Aluminum Alloy, Female, Crimp Terminal, Receptacle | CIR02RFS-36-7S-F80-T12 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS3206
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS3206 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS3107-7TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 75V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB | AUIRFS3107-7TRL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3207TRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3207TRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS3107-7TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 75V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB | AUIRFS3107-7TRR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS3107-7PTRL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 75V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB | AUIRFS3107-7PTRL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3006TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3006TRLPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP0603B130RFS3
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1.5W, 130ohm, 13.9642V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP | RCP0603B130RFS3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CIR020RFS-32-17P-F80-T12
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 4 Contact(s), Aluminium Alloy, Male, Crimp Terminal, Receptacle | CIR020RFS-32-17P-F80-T12 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V06-A-RR-FS3BAR-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 1000Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V06-A-RR-FS3BAR-WM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3107TRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3107TRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS-35V471MJ7#5
TAIYO YUDEN
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 470uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | RFS-35V471MJ7#5 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRCIR02RFS-36-5S-F80-T12
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 4 Contact(s), Aluminum Alloy, Female, Crimp Terminal, Receptacle | FRCIR02RFS-36-5S-F80-T12 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3107PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3107PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3206TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3206TRLPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS3004-7P
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 40V, 0.00125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB | AUIRFS3004-7P |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3107
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3107 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DRFS-3250-35JI
Digital RF Solutions Corp
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1 | Numeric Controlled Oscillator, 8-Bit, CMOS, PQCC84 | DRFS-3250-35JI |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS-35V470MH3#5
TAIYO YUDEN
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 47uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | RFS-35V470MH3#5 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3306TRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3306TRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS3/10R
Mersen Electrical Power
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1 | Electric Fuse, 0.3A, 600VAC, 10000A (IR), Inline/holder | RFS3/10R |
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