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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF5N100JABEGU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF5N100JABEGU1N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF50N40JAMZD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 400V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF50N40JAMZD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSDF53030X
Telefunken Microelectronics Gmbh
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1 | Tuner IC | TSDF53030X |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7311S-DF-505X-155.52M-NSA3345A
Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
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1 | LVPECL Output Clock Oscillator, 155.52MHz Nom | 7311S-DF-505X-155.52M-NSA3345A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF5N100JAAVGSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF5N100JAAVGSN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISDF50-13
Intertech Resources Inc
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 1300V V(RRM), Silicon | ISDF50-13 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WSDF553-EP1-7F
Foxconn
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1 | Card Edge Connector, 20 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, 0.049 inch Pitch, Surface Mount Terminal, Locking, Black Insulator, Receptacle | WSDF553-EP1-7F |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF50N40JAMWU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 400V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF50N40JAMWU1Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF5N100JAAEHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF5N100JAAEHSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF50N40JAMESB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 400V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF50N40JAMESB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7311S-DF-505P-187.5M-NSA3345G
Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
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1 | LVPECL Output Clock Oscillator, 187.5MHz Nom | 7311S-DF-505P-187.5M-NSA3345G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF5N100JABSHU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF5N100JABSHU1N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF5N100JAAXHSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF5N100JAAXHSN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF5N100JAASGD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF5N100JAASGD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF50NA20GBPWSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF50NA20GBPWSN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF5N100JABVHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF5N100JABVHSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF5N100JAASGU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF5N100JAASGU1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF5N100JABEGD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF5N100JABEGD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF5N100JAAEGD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF5N100JAAEGD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF5N100JAAEGD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF5N100JAAEGD1N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7311S-DF-505X-106.250MHZ
Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
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1 | PECL Output Clock Oscillator | 7311S-DF-505X-106.250MHZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF5N100JABXHU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF5N100JABXHU1N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF5N100JAAXHU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF5N100JAAXHU1N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSDF5242XR
Telefunken Microelectronics Gmbh
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1 | Consumer IC | TSDF5242XR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF50NA20GBPWU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF50NA20GBPWU1N |
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