Showing 25 of 127 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI5512VA-100LB272
Lattice Semiconductor Corporation
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1 | EE PLD, 13ns, 512-Cell, CMOS, PBGA272 | ISPLSI5512VA-100LB272 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MSM8256SI55
Hybrid Memory Products Ltd
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1 | SRAM Module, 256KX8, 55ns, Hybrid, CDIP32 | MSM8256SI55 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5515CDC-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.036ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5515CDC-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BS62LV2565SI55
Brilliance Semiconductor Inc
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1 | Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28 | BS62LV2565SI55 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5518R-B16295-GM
Skyworks
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1 | NetSync™ Low Phase Noise Jitter Attenuating Clock for 5G/eCPRI/SyncE/IEEE | SI5518R-B16295-GM |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5518A-B14408-GM
Skyworks
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1 | NetSync™ Low-Phase-Noise Jitter-Attenuating Clock for 5G/ eCPRI/SyncE/IEEE 1588 | SI5518A-B14408-GM |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI5512VE-125LB272I
Lattice Semiconductor Corporation
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1 | EE PLD, 7.5ns, 512-Cell, CMOS, PBGA272 | ISPLSI5512VE-125LB272I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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X28HC16SI-55
Xicor Inc
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1 | EEPROM, 2KX8, 55ns, Parallel, CMOS, PDSO24 | X28HC16SI-55 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5517DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.039ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5517DU-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MSM164SI-55
APTA Group Inc
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1 | Standard SRAM, 64KX1, 55ns, CMOS, CDIP22 | MSM164SI-55 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI5512VA-70LB272
Lattice Semiconductor Corporation
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1 | EE PLD, 19ns, 512-Cell, CMOS, PBGA272 | ISPLSI5512VA-70LB272 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI5512V-100LB
Lattice Semiconductor Corporation
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1 | EE PLD, 10ns, CMOS, PBGA492 | ISPLSI5512V-100LB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI5512V-70LB388
Lattice Semiconductor Corporation
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1 | EE PLD, 19ns, 512-Cell, CMOS, PBGA388 | ISPLSI5512V-70LB388 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI5512VE-100LB388
Lattice Semiconductor Corporation
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1 | EE PLD, 10ns, 512-Cell, CMOS, PBGA388 | ISPLSI5512VE-100LB388 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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X20C16SI-55
Force Technologies Ltd
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1 | Non-Volatile SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PDSO28 | X20C16SI-55 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5513CDC-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5513CDC-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI5512VE-100LF256I
Lattice Semiconductor Corporation
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1 | EE PLD, 10ns, 512-Cell, CMOS, PBGA256 | ISPLSI5512VE-100LF256I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5504DC-T1
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5504DC-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BS62LV2009SI55
Brilliance Semiconductor Inc
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1 | Standard SRAM, 256KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 | BS62LV2009SI55 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MSM8512SI-55
APTA Group Inc
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1 | Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDIP32 | MSM8512SI-55 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI5517DU-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.039ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI5517DU-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XM20C64SI-55
Xicor Inc
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1 | Non-Volatile SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS | XM20C64SI-55 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI5512V-110LB388
Lattice Semiconductor Corporation
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1 | EE PLD, 10ns, 512-Cell, CMOS, PBGA388 | ISPLSI5512V-110LB388 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BS62LV1027SI55
Brilliance Semiconductor Inc
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1 | Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 | BS62LV1027SI55 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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947BSI5560.25%100
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 10W, 556ohm, 750V, 0.25% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount | 947BSI5560.25%100 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||