Showing 25 of 68 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI8840-90LB352
Lattice Semiconductor Corporation
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1 | EE PLD, 16ns, CMOS, PBGA352 | ISPLSI8840-90LB352 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI8840V-60LB272
Lattice Semiconductor Corporation
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1 | EE PLD, 24ns, 840-Cell, CMOS, PBGA272 | ISPLSI8840V-60LB272 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI8840V-90LB272
Lattice Semiconductor Corporation
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1 | EE PLD, 16ns, 840-Cell, CMOS, PBGA272 | ISPLSI8840V-90LB272 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI8840V-90LB272
Rochester Electronics LLC
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1 | EE PLD, 16ns, PBGA272, THERMALLY ENHANCED, BGA-272 | ISPLSI8840V-90LB272 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI8800EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI8800EDB-T2-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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947BSI8.87K0.25%100
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 10W, 8870ohm, 750V, 0.25% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | 947BSI8.87K0.25%100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI8809EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI8809EDB-T2-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI8840-110LB
Lattice Semiconductor Corporation
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1 | EE PLD, 8.5ns, CMOS, PBGA432 | ISPLSI8840-110LB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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932BSI8.871%100
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 8W, 8.87ohm, 500V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount | 932BSI8.871%100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI8840-110LB432
Lattice Semiconductor Corporation
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1 | EE PLD, 13.5ns, 840-Cell, CMOS, PBGA432 | ISPLSI8840-110LB432 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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63BSI8870.5%100
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 2W, 887ohm, 100V, 0.5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | 63BSI8870.5%100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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68BSI8.87K0.25%100
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 8870ohm, 200V, 0.25% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount | 68BSI8.87K0.25%100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI8840V-60LB492
Rochester Electronics LLC
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1 | EE PLD, 24 ns, PBGA492, BGA-492 | ISPLSI8840V-60LB492 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI8840-60LB352
Lattice Semiconductor Corporation
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1 | EE PLD, 24ns, CMOS, PBGA352 | ISPLSI8840-60LB352 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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58BSI8870.25%100
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 1W, 887ohm, 50V, 0.25% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount | 58BSI8870.25%100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI8809EDB-T2-E1
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI8809EDB-T2-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SESI88K21WR
Dearborn Electronics Inc
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1 | GENERAL PURPOSE INDUCTOR | SESI88K21WR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI8840V-125LB272
Rochester Electronics LLC
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1 | EE PLD, 13.5 ns, PBGA272, THERMALLY ENHANCED, BGA-272 | ISPLSI8840V-125LB272 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI8802DB-T2-E1
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 8V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI8802DB-T2-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI8840-60LB432
Lattice Semiconductor Corporation
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1 | EE PLD, 24ns, 840-Cell, CMOS, PBGA432 | ISPLSI8840-60LB432 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI8810EDB-T2-E1
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SI8810EDB-T2-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI8821EDB-T2-E1
Vishay
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1 | MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8 | SI8821EDB-T2-E1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI8806DB-T2-E1
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | SI8806DB-T2-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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68BSI8.870.5%100
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 8.87ohm, 200V, 0.5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | 68BSI8.870.5%100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISPLSI8840V-125LB272
Lattice Semiconductor Corporation
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1 | EE PLD, 13.5ns, 840-Cell, CMOS, PBGA272 | ISPLSI8840V-125LB272 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||