Showing 22 of 47 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2302DS,215
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SI2302DS,215 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2302DS-T1
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 20V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | SI2302DS-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2302DS-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | SI2302DS-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2302ADS-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI2302ADS-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2302DST/R
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SI2302DST/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2302ADS-T1
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | SI2302ADS-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2302DSTT2
Temic Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | SI2302DSTT2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2302HDS-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | SI2302HDS-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2302DS
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI2302DS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2302DS
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SI2302DS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2302DST/R
Nexperia
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SI2302DST/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2302DS-T1-GE3
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | N-Channel 20 V MOSFET in SOT-23 package with 0.028 ohm RDS(on) at 4.5 V VGS, 6 A continuous drain current, and 8.8 nC gate charge, suitable for DC/DC converters and load switches. | SI2302DS-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2302A
MCC
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0 | Small Signal MOSFETS | SI2302A |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2302CDS-T1-GE3
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | N-Channel 20 V MOSFET in SOT-23 package with 0.028 ohm RDS(on) at 4.5 V VGS, 6 A continuous drain current, and 8.8 nC gate charge, suitable for DC/DC converters and load switches. | SI2302CDS-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2302DS,215
Nexperia
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | SI2302DS,215 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2302B
MCC
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0 | Small Signal MOSFETS | SI2302B |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RSI-2302JTL
Kamaya Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 2W, 3000ohm, 350V, 5% +/-Tol, 350ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | RSI-2302JTL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASI2302
Advanced Semiconductor Inc
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN | ASI2302 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RSI-2302JHB
Kamaya Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 2W, 3000ohm, 350V, 5% +/-Tol, 350ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | RSI-2302JHB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RSI-2302JTB
Kamaya Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 2W, 3000ohm, 350V, 5% +/-Tol, 350ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | RSI-2302JTB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RSI-2302JB
Kamaya Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 2W, 3000ohm, 350V, 5% +/-Tol, 350ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | RSI-2302JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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934056632215
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | 934056632215 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||