Showing 20 of 45 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI3469DV-T1-BE3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA | SI3469DV-T1-BE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3462-E01-GMR
Silicon Laboratories Inc
|
1 | Telecom Circuit, 1-Func | SI3462-E01-GMR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3465DV-T1-E3
Vishay Siliconix
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3465DV-T1-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3460-E03-GM
Silicon Laboratories Inc
|
1 | Switching Regulator/Controller | SI3460-E03-GM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3460DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 20V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MO-193AA | SI3460DV-T1-GE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3469DV-T1-E3
Vishay Siliconix
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA | SI3469DV-T1-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3465DV-T1-E3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3465DV-T1-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3461-E02-GMR
Silicon Laboratories Inc
|
1 | Power Management Circuit | SI3461-E02-GMR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3460
Silicon Laboratories Inc
|
1 | Switching Regulator/Controller | SI3460 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3460-E03-GMR
Silicon Laboratories Inc
|
1 | Switching Regulator/Controller | SI3460-E03-GMR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3460DV-T1
Vishay Siliconix
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3460DV-T1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3465DV-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3465DV-T1-GE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3461-E01-GMR
Silicon Laboratories Inc
|
1 | Power Management Circuit | SI3461-E01-GMR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3460BDV-T1-BE3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA | SI3460BDV-T1-BE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3462-E01-GMR
Skyworks Solutions Inc
|
1 | Telecom Circuit, 1-Func | SI3462-E01-GMR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3460-X-GM
Silicon Laboratories Inc
|
1 | Switching Regulator/Controller | SI3460-X-GM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3460DV-T1
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3460DV-T1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3460BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3460BDV-T1-GE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3461-E01-GM
Silicon Laboratories Inc
|
1 | PoE POWERED DEVICE CONTROLLER, Adjustable, 1 Channel, QCC11 | SI3461-E01-GM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3460-X-GMR
Silicon Laboratories Inc
|
1 | Switching Regulator/Controller | SI3460-X-GMR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||