Showing 25 of 93 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4465DY
Telefunken Microelectronics Gmbh
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1 | Transistor | SI4465DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4464DY-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MS-012AA | SI4464DY-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4466DY
Temic Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.2A I(D), 20V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4466DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4463-C2A-GM
Silicon Laboratories Inc
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1 | Telecom Circuit, 1-Trnsvr, CMOS, PQCC20 | SI4463-C2A-GM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4466DY-T1
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 20V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4466DY-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4463DY-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4463DY-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4463-C2A-GMR
Silicon Laboratories Inc
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1 | Telecom Circuit, 1-Trnsvr, CMOS, PQCC20 | SI4463-C2A-GMR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4463DYL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4463DYL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4465ADY-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.7A I(D), 8V, 0.009ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MS-012AA | SI4465ADY-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4463DYS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4463DYS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4463BDY-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 20V, 0.011ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | SI4463BDY-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4465DY
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 8V, 0.009ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4465DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4466DYD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 15A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4466DYD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4463DY-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 20V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4463DY-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4463DY
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4463DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4463DYF011
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4463DYF011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4464DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MS-012AA | SI4464DY-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4463CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18.6A I(D), 20V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | SI4463CDY-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4463DY
Rochester Electronics LLC
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1 | 11500mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SO-8 | SI4463DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4466DY
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 20V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4466DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4467DYL86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 20V, 0.0085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4467DYL86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4463BDY-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 20V, 0.011ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4463BDY-E3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4465DY-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4465DY-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4467DYL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 20V, 0.0085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4467DYL99Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4463DYD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4463DYD84Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||